碳化硅承载盘又称SIC托盘，碳化硅蚀刻盘，ICP蚀刻盘。LED刻蚀用碳化硅托盘(SiC托盘)φ 600mm是深度硅刻蚀(ICP刻蚀机)的专用配件。晶圆载具又称晶圆载具、硅晶圆载具，英文称为pocket wafer。广泛用于半导体的CVD和真空溅射。

　　碳化硅陶瓷制品是由高纯超细碳化硅粉末经2450 ℃高温烧结而成。碳化硅含量大于99.1%，产品密度≥ 3.10g/cm3，不含金属硅等金属杂质。

　　碳化硅陶瓷不仅用于薄膜沉积阶段，如外延或MOCVD，或晶片处理过程，在该过程的核心，用于MOCVD的晶片载体托盘首先经受沉积环境，因此它具有高的耐热性和耐腐蚀性。SiC涂覆的载体还具有高热导率和优异的热分布特性。

　　用于高温金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理的纯化学气相沉积碳化硅(CVD SiC)晶片载体。

　　纯CVD SiC晶片载体使得使用氮化镓(GaN)沉积的高亮度发光二极管(led)的制造商能够显著提高其产量，并满足led日益增长的行业需求。

　　纯CVD SiC晶片载体明显优于在该工艺中使用的传统晶片载体，传统晶片载体是石墨并且涂覆有一层CVD SiC。这些涂覆的石墨基载体不能承受当今高亮度蓝色和白色led的GaN沉积中所需的高温(1100至1200摄氏度)。高温会导致涂层产生微小的，工艺化学品会通过这些侵蚀下面的石墨。然后石墨颗粒会剥落并污染GaN，导致被涂覆的晶片载体被替换。

　　CVD SiC的纯度为99.999%以上，具有高导热性和抗热冲击性。因此，它可以承受高亮度LED制造中的高温和恶劣环境。它是一种固体整体材料，达到理论密度，产生最少的颗粒，并表现出非常高的耐腐蚀性和耐侵蚀性。该材料可以改变不透明度和电导率，而不会引入金属杂质。晶片载体的直径通常为17英寸，可以容纳多达40个2-4英寸的晶片。

　　纯CVD SiC晶片载体有效地传递热量，具有非常高的热导率。例如，CVD SiC的热导率为250-300瓦每米开尔文。相比之下，烧结碳化硅的热导率为100-140瓦每米开尔文，而纯石墨的热导率通常仅为85瓦每米开尔文。与涂层石墨晶片载体相比，CVD SiC更高的热导率使得晶片整个直径上的温度均匀，从而改善了GaN沉积工艺并显著提高了产量。

　　此外，纯整体SiC具有较长的寿命。它能抵抗翘曲，只有在搬运过程中载体破裂、碎裂或损坏时才需要更换。这将为半导体制造商提供节约成本的机会。