自2010年因石墨烯的发现获得诺贝尔物理学奖而名声大噪，到2015年石墨烯产业奠基人冯冠平教授将石墨烯带到中国。经过在国内的多年落地发展，石墨烯优异的特性已经得到人们的广泛关注和认可。

　　由于石墨烯是只有一层碳原子厚度的二维晶体，所以一毫米的石墨就大约包含300万层石墨烯，也就是说石墨烯的厚度只有薄薄的0.335纳米。

　　2004年，发现石墨烯的两位英国科学家，从高定向热解石墨中玻璃处一层石墨片，然后将这种薄片不断用胶带一分为二使其更薄，不断重复之后，最终得出了仅有一层碳原子组成的薄薄一层，这就是石墨烯。

　　但是，要实现石墨烯应用的话就必须实现量产。所以如果真的只能靠胶带不断粘出来，那么规模化制备就无从说起了，更没有如今石墨烯应用快速发展的局面了。

　　因为，真正的石墨烯是单层的，而要制备出单层的石墨烯来，对制备技术要求非常高，市面上很多号称石墨烯的材料大多为石墨，或者是多层石墨烯材料堆叠。也就是说，只有从石墨上，剥离出的一个单层，才能称之为石墨烯。

　　我国首个石墨烯国家标准GB/T30544.13-2018：《纳米科技术语第13部分：石墨烯及相关二维材料》日前正式发布，于2019年11月1日开始实施。

　　简单来说，G处的峰值与D处的峰值比值要小于1。也就是说，图中左侧的峰值要比右侧峰值低方可以判定为石墨烯结构。

　　一是利用各种物理、化学手段削弱石墨层与层间的范德华力剥离得到单层或少层石墨烯，主要有机械剥离法、液相剥离法、氧化还原剥离法。

　　优点：制备成本低，缺陷少，性能好缺点：产率低和成本高的不足，不满足工业化和规模化生产要求，目前只能作为实验室小规模制备。

　　优点：能较大尺寸生长，且得到的石墨烯性能好缺点：原料成本较高，生长温度需达到（1400℃），一般设备很难达到，而且也很难生长太大尺寸的石墨烯。

　　优点：方法简单，原料成本不高，且易于规模制备缺点：此法容易带来废液污染且得到的石墨烯缺陷非常多，电学、力学性能都较差。

　　化学气相沉积法（CVD）目前，商品化的石墨烯薄膜主要采用化学气相沉积法，石墨烯粉末主要采用氧化还原法制备。这里我们重点讲一下烯旺科技石墨烯薄膜的制备方法。

　　我们常规的思路是要制备石墨烯，必须从石墨中想办法剥离出来。然而化学气相沉积法，则反其道而行之，让石墨烯自己“生长”出来。

　　由于石墨烯是碳原子组成的，所以烯旺科技的化学气相沉积法通过在接近1000℃的高温和高真空的环境下，通入含碳气态物质和还原性气体，经过催化裂解出来的碳原子直接在铜箔表面成核，进而生长成石墨烯薄膜。

　　由于铜表面石墨烯的生长会因为石墨烯的覆盖而停止，即石墨烯的自限性生长，所以最易于得到单层的石墨烯。

　　看似简单的工艺，然而对技术和设备的要求都非常高。在石墨烯生长的过程中，只要条件稍有改变，石墨烯就会长得千姿百态。苛刻的制备条件没有难倒化学家和化工专家，烯旺科技现已掌握石墨烯的连续化大批量卷对卷薄膜生产技术。

　　到这里，我们不禁又产生一个疑问：采用化学气相沉积法在铜箔表面生长出来的石墨烯，我们该如何储存利用，进行规模化裁切使用呢？

　　将铜箔上的石墨烯转移到目标基底上，中间要经过旋涂聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、去铜、烘烤、去胶、清洗等过程。

　　烯旺科技采用一种新型的复合刻蚀液及其刻蚀方法，可以实现近乎无损地将石墨烯薄膜转移至柔性基底，即我们现在经常可看见的PET、PEN或PI材质。

　　在一体化的生产线上依次完成升温、生长、降温、转移等环节，就可以制成一张张能在众多领域发光发热的石墨烯。

　　首先我们在生长有或覆盖有石墨烯的铜箔基底上覆一层转移介质膜，再通过复合刻蚀液将石墨烯基底的铜箔刻蚀，清洗干净。

　　去除铜箔后，这样就得到了石墨烯+转移介质膜。将石墨烯+转移介质膜放入烘箱烘干，使用例如PET、PEN或PI作为基底，就完成了石墨烯转移和储存，可制备出纯石墨烯发热膜。

　　薄膜热传导快：热导率高，升温速度快，石墨烯中碳原子间强共价键的存在，使的石墨烯中声子导热占主导，声子导热主要受声子间碰撞散射和缺陷散射影响，因此薄膜质量决定了热传导率；

　　我们拿氧化还原法来说，即将天然石墨与强酸和强氧化剂反应生成氧化石墨，经过超声分散制备成氧化石墨烯（单层石墨烯），加入还原剂去除氧化石墨表面的含氧基团，如羟基、环氧基，得到粉体石墨烯。

　　备注：强氧化剂可以使石墨层间距扩张，形成片层或者边缘带有羰基等基团的氧化石墨，然后在水溶液或有机溶剂中超声处理，即可形成均匀分散的单层氧化石墨烯，再通过还原剂还原氧化基团制得石墨烯粉体。