简而言之，通过溶胶-凝胶工艺在硅纳米颗粒上涂覆 TiO2，然后使用壳聚糖作为交联剂，将核壳结构的 Si/TiO2 与 GO 组装在一起，接着在氨/氩（NH3/Ar）气氛下进行冷冻干燥、压制和退火。在这种结构中，TiO2 和 rGO 为硅提供了双重保护，并形成了一条连续的导电路径。此外，NH3 和壳聚糖的氮掺杂进一步增强了锂存储性能。所制备的 Si/TiO2/rGO 薄膜电极在宽电流密度范围内均表现出优异的速率性能，在 200 mA g-1 下运行 200 个循环后，其可逆容量仍保持在 1333.8mAh g-1 的水平。
图6. 经过 200 次循环（电流密度：200 mA g-1）后，Si/TiO2/rGO 薄膜在不同放大倍数下的扫描电镜图像。
总之，在不使用粘结剂和导电剂的情况下，成功制备出了自立式 Si/TiO2/rGO 薄膜电极。自立结构的设计使 Si/TiO2/rGO 具有良好的柔韧性和优异的锂存储性能。特别是，在 200 mA g-1 下运行 200 个循环后，放电容量仍保持在 1333.8 mAh g-1，而且电极保持原有结构，完好无损。相信这项工作将为推动柔性锂离子电池的发展奠定坚实的材料基础。
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