近日，哈尔滨晶彩材料科技有限公司20吨/年高纯3C-SiC微粉项目建成投产，而这将是晶彩材料打造中国规模最大、纯度最高、种类最齐全、价格最低廉的高纯

　　晶彩材料张总介绍，常见并广泛用于耐火、超硬磨料、先进陶瓷等行业的六方晶系碳化硅也被称为α-SiC，而公司的3C-SiC（或称β-SiC）属立方晶系（金刚石晶型），也叫立方碳化硅。

　　高纯立方碳化硅粉体具有杂质含量低、比表面积大、烧结活性高、导热系数高及电绝缘等特点，以3C-SiC晶体的等轴结构特点决定了它具有比α-碳化硅好的自然球度、硬度和较低结晶温度，且β-SiC晶型转换过程中，其体积也会发生变化，对陶瓷烧结致密性能起到良好的作用，从而增加碳化硅陶瓷的韧性和强度等综合性能。但是长久以来由于受制备技术限制，高纯3C-SiC很难实现规模量产。

　　据张总介绍，公司采用“杂化官能度硅烷无引发悬浮聚合法”制备的3C 碳化硅粉体具有超高纯度（4N\5N\6N）、粒径均一、体积分数大（约50%）及粒径可调、高结晶的特点。粒径可根据客户需要定制，范围可从亚微米到200微米，可批量化生产。

　　高纯度3C-SiC粉体具有杂质含量极低、比表面积大、烧结活性高、高强度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、高导热系数、低热膨胀系数等特点，这使其成为制备半导体碳化硅陶瓷、热管理导热填料的重要材料，可广泛用于微电子工业、航空、航天、石油化工、机械制造、核工业等领域，尤其作为导体工艺和光机装备用高精度部件，服务于欧美对我严格限制的微电子领域。

　　采用前驱体热解-石墨化工艺制备的高纯石墨粉具备纯度高（6N）由于制备过程无卤素和氮元素影响，降低石墨粉中非金属元素的含量，减少对后续产品的不利作用；同时，高纯石墨粉粒径可进行调控，粒径可实现毫米到微米尺寸调控，满足不同客户的定制需求。可满足碳化硅单晶、金刚石晶体生长及高纯碳化物的制备需要，同时在半导体等领域也有广泛的应用。

　　采用无卤素、无氮气特殊纯化技术制备的高纯石墨保温材料（石墨毡）具备纯度高（灰分低于2ppm）的特点，特殊工艺降低石墨毡中非金属元素的含量，降低了对后续客户使用过程的不利影响。同时，由于特殊工艺保持了石墨毡原有的纤维结构和高孔隙率特征，使其在高于2000℃时仍然具有较低的导热系数和较低的密度（小于1g/cm3），广泛应用于第三代半导体和高温高纯材料的制备领域。

　　2017年成立的哈尔滨晶彩材料科技有限公司位于哈尔滨高新技术开发区，与哈尔滨工业大合自主研发，拥有一支经验丰富的技术研发团队，具有卓越的研发能力，攻克了半碳化硅粉体材料的超高纯度、粒径尺度及均一性、晶型一致性等关键生产技术，研发了10余项生产新材料的新工艺与新技术，获国家发明专利20余项。公司拥有省内唯一一家高纯粉末材料研发及检测中心，以及超高纯碳化硅粉料生产基地，填补了国内超高纯、类球形微观形貌碳化硅粉体的空白。